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PN100_G相关型号
ON安森美热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • PN100_G

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 批号：19+
  • 描述：INTEGRATED CIRCUIT
  • PDF下载：
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装散装
  • 系列-
  • 零件状态停產
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）500mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）45V
  • 不同Ib，Ic 时的Vce 饱和值（最大值）400mV @ 20mA，200mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）50nA
  • 不同Ic，Vce时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）100 @ 150mA，5V
  • 功率 - 最大值625mW
  • 频率 - 跃迁250MHz
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
  • 供应商器件封装TO-92-3

其它信息

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